200um InGaAs NIVIS Photodiode Chip
  • 200um InGaAs NIVIS Photodiode Chip200um InGaAs NIVIS Photodiode Chip

200um InGaAs NIVIS Photodiode Chip

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip specialiter destinatur ut submissam obscuram, humilemque facultatem et altam NIVIS COMMENDAM SIT. Hoc chip utens receptaculum opticum cum magna sensibilitate obtineri potest.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

1. Summarium 200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip specialiter destinatur ut submissam obscuram, humilemque facultatem et altam NIVIS COMMENDAM SIT. Hoc chip utens receptaculum opticum cum magna sensibilitate obtineri potest.

2. Introductio 200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

200um InGaAs Avalanche Photodiode Chip specialiter destinatur ut submissam obscuram, humilemque facultatem et altam NIVIS COMMENDAM SIT. Hoc chip utens receptaculum opticum cum magna sensibilitate obtineri potest.

3. Features of 200um InGaAs NIVIS Photodiode Chip

Deprehendere range 900nm-1650nm;

Mobilitas magna;

Princeps responsabilitas;

Humilis capacitas;

Minimum obscurum vena;

Top structuris planis illustrati.

4. Applicationem 200um InGaAs NIVIS Photodiode Chip

Cras;

Instrumenta fibra-optica;

Data Communicationis.

5. Absoluta Maximum Ratings of 200um InGaAs NIVIS Photodiode Chip

Parameter Symbolum Precium Unitas
Maxime deinceps current - 10 ma
Maximum voltage Supple - VBR V
Operating Temperature Topr -40 ad +85
Repono temperatus Tstg -55 ad +125

6. Characteres Electro-Optici (T=25â"ƒ) de 200um IngaAs Avalanche Photodiode Chip

Parameter Symbolum Conditio Min. Typ. Maximilianus. Unitas
Necem range λ   900 - 1650 nm
Naufragii Voltage VBR Id = 10uA 40 - 60 V
Temperatura coefficiens VBR - - - 0.12 - V/â"ƒ"
Responsivity R VR = VBR -4V 9 10 - A/W
Tenebrae venae ID VBR -4V - 6.0 30 nA
Capacitance C VR = 38V, f=1MHz - 1.6 - pF*
Bandwith Bw* - - 2.0 - GHz

7. Dimensio parametri 200um InGaAs NIVIS Photodiode Chip

Parameter Symbolum Precium Unitas
Active area diametri D 200 um
Codex diametri vinculi - 60 um
Die magnitudine - 350x350 um
Mori crassitudine t 180±20 um

8 libera, Shipping et serviens 200um IngaAs NIVIS Photodiode Chip

Omnia producta ante naviculas e probata sunt;

Omnes fructus 1-3 annos habent warantum.

Negotium tuum laudamus et consilium instanti offerimus 7 dierum. (7 dies post susceptionem omissa);

Si vasa quae ex copia nostra emo non sunt perfectae qualitatis, id est electronice operantur ad fabricas specificationes, simpliciter ea nobis redde ad substituendum vel refugium;

Si omissa sunt, quaeso certiorem nos intra III dies traditionis;

Quaelibet res in pristinum statum restitui debet ad vocandum refugium vel subministrationem;

Emptor reus est omnium navium emptarum.

8. FAQ

Q: Quid est activum area vis?

A: 50um 200um 500um aream activam habemus InGaAs Avalanche Photodiode Chip.

Q: Quid postulatur iungo?

A: Box Optronics customize can according to your requirements.

Hot Tags: 200um InGaas NIVIS Photodiode Chip, Manufacturers, Suppliers, Lupum, Factory, Lorem, Mole, Sinis, Facta in Sinis, Cheap, Minimum Price, Quality

Related Categoria

Mitte Inquisitionem

Libenter placet, ut inquisitionem tuam in forma infra exhibeas. Respondebimus tibi in 24 horis.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept