200um InGaAs avalanche photodiodes APDs est maxima commercium inGaAs APD cum magna alacritate et summa alacritate et tempore per 1100 ad 1650um necem incidat, apicem responsabilitatis ad 1550nm apta ad applicationes tutas, spatium liberum communicationum opticorum, optime aptum; OTDR et Coherentiae Optica Tomography. The chip hermetically signatus in modificatione TO involucrum, optio pigtailed etiam in promptu est.
200um InGaAs avalanche photodiodes APDs est maxima commercium inGaAs APD cum magna alacritate et summa alacritate et tempore per 1100 ad 1650um necem incidat, apicem responsabilitatis ad 1550nm apta ad applicationes tutas, spatium liberum communicationum opticorum, optime aptum; OTDR and Optical Coherence Tomography.
Chipum hermetically signatum in sarcina TO modificata, optio pigtailed etiam in promptu est.
200um InGaAs avalanche photodiodes APDs est maxima commercium inGaAs APD cum magna alacritate et summa alacritate et tempore per 1100 ad 1650um necem incidat, apicem responsabilitatis ad 1550nm apta ad applicationes tutas, spatium liberum communicationum opticorum, optime aptum; OTDR and Optical Coherence Tomography.
Chipum hermetically signatum in sarcina TO modificata, optio pigtailed etiam in promptu est.
Deprehendere range 1100nm-1650nm;
Lata dynamica vis vagatur;
Summum munus;
Minimum obscurum vena;
Involucrum Latin TO-XLVI.
Sensorem optical;
liberum spatium communicationum socialium optica.
| Parameter | Symbolum | Conditio | Min. | Maximilianus. | Unitas |
| PD Reverse voltage | VR | CW | - | VBR | V |
| Deinceps current | SI | CW | - | 10 | ma |
| Reverse current | IR | CW | - | 10 | ma |
| Operating Temperature | TOP | Casus temperatus | -40 | +85 | ℃ |
| Repono temperatus | TSTG | Ambientium, temperatus | -40 | +85 | ℃ |
| Plumbum solidandi temperamentum/Tempus | Ts | - | - | 260/10 | â/S |
| Parameter | Symbolum | Conditio | Min. | Typ. | Maximilianus. | Unitas |
| Necem range | λ | 1100 | - | 1650 | nm | |
| Active regio | φ | - | - | 200 | - | um |
| Cura | Re | M=1,λ=1550nm | 0.80 | - | - | A/W |
| Multiplicatio factor | M | VR=VBR-3, »=1550nm,Ïe=1uW | 10 | - | - | - |
| Tenebrae venae | ID | VR=VBR-3, e=0 | - | - | 35 | nA |
| Reverse naufragii voltage | VBR | ID=10μA, e=0 | 40 | - | 55 | V |
| Bandwidth | BW | -3dB punctum, M=10, RL=50Ω | - | 1.25 | - | GHz |
| Capacitance | C | M=10, e=0, f=1MHz | - | - | 2 | pF* |
All products have been tested before shipping out;
Omnes fructus 1-3 annos habent warantum.
Negotium tuum bene nos facimus, et consilium instanti offerimus 7 dierum. (7 dies post susceptionem omissa);
Si vasa quae ex copia nostra emptionis non sunt perfectae qualitatis, id est electronice ad fabricas specificationes operantur, simpliciter ea nobis redde ad substituendum vel refugium;
Si omissa sunt, quaeso certiorem nos intra III dies traditionis;
Quaelibet res in pristinum statum restitui debet ad vocandum refugium vel repositum;
Emptor reus est omnium navium emptarum.
A: habemus 0.3mm 0.5mm 1mm aream activam avalanche photodiodes.
Q: Quid postulatur iungo?A: Box Optronics customize can according to your requirements.
Copyright @ 2020 Shenzhen Box Optronics Technology Co., Ltd. - China Fiber Optic Modules, Fiber Coupled Lasers Manufacturers, Laser Components Suppliers All Rights Reserved.
