500um Magnae Area InGaAs Avalanche Photodiode Chip
  • 500um Magnae Area InGaAs Avalanche Photodiode Chip500um Magnae Area InGaAs Avalanche Photodiode Chip

500um Magnae Area InGaAs Avalanche Photodiode Chip

500um Magnae Areae InGaAs Avalanche Photodiode Chip specialiter destinatur ad submissam obscuram, demissam facultatem et altam avalanche lucrum. Hoc chip utens receptaculum opticum cum magna sensibilitate obtineri potest.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

1. Summarium 500um Magnae Areae InGaAs Avalanche Photodiode Chip

500um Magnae Areae InGaAs Avalanche Photodiode Chip specialiter destinatur ad submissam obscuram, demissam facultatem et altam avalanche lucrum. Hoc chip utens receptaculum opticum cum magna sensibilitate obtineri potest.

2. Introductio 500um Magnae Area InGaAs Avalanche Photodiode Chip

500um Magnae Areae InGaAs Avalanche Photodiode Chip specialiter destinatur ad submissam obscuram, demissam facultatem et altam avalanche lucrum. Hoc chip utens receptaculum opticum cum magna sensibilitate obtineri potest.

3. Features of 500um Magnae Area InGaAs NIVIS Photodiode Chip

Deprehendere range 900nm-1650nm;

Mobilitas magna;

Princeps responsabilitas;

Humilis capacitas;

Minimum obscurum vena;

Top structuris planis illustrati.

4. Applicationem 500um Magnae Area InGaAs NIVIS Photodiode Chip

Cras;

Instrumenta fibra-optica;

Data Communicationis.

5. Absoluta Maximum Ratings of 500um magnae Area InGaAs NIVIS Photodiode Chip

ParameterSymbolumumumPreciumUnitasasas
Maxime deinceps current-10ma
Maximum voltage Supple-VBRV
Operating TemperatureTopr-40 ad +85
Repono temperatusTstg-55 ad +125

6. Electro-Optical Characteres (T=25â"ƒ) de 500um Magnae Area InGaAs Avalanche Photodiode Chip

ParameterSymbolumumumConditioMin.Typ.Maximilianus.Unitasasas
Necem rangeλ 900-1650nm
Naufragii VoltageVBRId = 10uA40-52V
Temperatura coefficiens VBR---0.12-V/â"ƒ"
ResponsivityRVR = VBR -3V1013-A/W
Tenebrae venaeIDVBR -3V-0.410.0nA
CapacitanceCVR = 38V, f=1MHz-8-pF*
BandwithBw*--2.0-GHz

7. Dimensio parametri 500um Magnae Area InGaAs NIVIS Photodiode Chip

ParameterSymbolumumumPreciumUnitasasas
Active area diametriD53um
Codex diametri vinculi-65um
Die magnitudine-250x250um
Mori crassitudinet150±20um

8 libera, Shipping et serviens 500um magna Area IngaAs NIVIS Photodiode Chip

Omnia producta ante naviculas e probata sunt;

Omnes fructus 1-3 annos habent warantum.

Negotium tuum laudamus et consilium instanti offerimus 7 dierum. (7 dies post susceptionem omissa);

Si vasa quae ex copia nostra emo non sunt perfectae qualitatis, id est electronice operantur ad fabricas specificationes, simpliciter ea nobis redde ad substituendum vel refugium;

Si omissa sunt, quaeso certiorem nos intra III dies traditionis;

Quaelibet res in pristinum statum restitui debet ad vocandum refugium vel subministrationem;

Emptor reus est omnium navium emptarum.

8. FAQ

Q: Quid est activum area vis?

A: 50um 200um 500um aream activam habemus InGaAs Avalanche Photodiode Chip.

Q: Quid postulatur iungo?

A: Box Optronics customize can according to your requirements.

Hot Tags: 500um Magna Area InGaAs Avalanche Photodiode Chip, Manufacturers, Suppliers, Lupum, Factory, Lorem, Mole, Sinis, Facta in Sinis, Cheap, Minimum Price, Quality

Related Categoria

Mitte Inquisitionem

Libenter placet, ut inquisitionem tuam in forma infra exhibeas. Respondebimus tibi in 24 horis.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept