50um InGaAs NIVIS Photodiode Chip
  • 50um InGaAs NIVIS Photodiode Chip50um InGaAs NIVIS Photodiode Chip

50um InGaAs NIVIS Photodiode Chip

50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip est photodiodum cum lucro interno producto applicatione intentionis adversae. Superiorem rationem habent ad strepitus (SNR) quam photodiodes, necnon responsionis temporis celeris, currentis obscuritatis humilis et sensibilitatis altae. Iaculum spectrae responsionis typice intra 900 - 1650nm est.

Mitte Inquisitionem

depictio producti

1. Libri 50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip est photodiodum cum lucro interno producto applicatione intentionis adversae. Superiorem rationem habent ad strepitus (SNR) quam photodiodes, necnon responsionis temporis celeris, currentis obscuritatis humilis et sensibilitatis altae. Iaculum spectrae responsionis typice intra 900 - 1650nm est.

2. Introductio 50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip

50um InGaAs Avalanche Photodiode Chip est photodiodum cum lucro interno producto applicatione intentionis adversae. Superiorem rationem habent ad strepitus (SNR) quam photodiodes, necnon responsionis temporis celeris, currentis obscuritatis humilis et sensibilitatis altae. Iaculum spectrae responsionis typice intra 900 - 1650nm est.

3. Features of 50um InGaAs NIVIS Photodiode Chip

Deprehendere range 900nm-1650nm;

Mobilitas magna;

Princeps responsabilitas;

Humilis capacitas;

Minimum obscurum vena;

Top structuris planis illustrati.

4. Applicationem 50um InGaAs NIVIS Photodiode Chip

Cras;

Instrumenta fibra-optica;

Data Communicationis.

5. Absoluta Maximum Ratings of 50um InGaAs NIVIS Photodiode Chip

Parameter Symbolum Precium Unitas
Maxime deinceps current - 10 ma
Maximum voltage Supple - VBR V
Operating Temperature Topr -40 ad +85
Repono temperatus Tstg -55 ad +125

6. Characteres Electro-Optici (T=25â"ƒ) de 50um IngaAs Avalanche Photodiode Chip

Parameter Symbolum Conditio Min. Typ. Maximilianus. Unitas
Necem range λ   900 - 1650 nm
Naufragii Voltage VBR Id = 10uA 40 - 52 V
Temperatura coefficiens VBR - - - 0.12 - V/â"ƒ"
Responsivity R VR = VBR -3V 10 13 - A/W
Tenebrae venae ID VBR -3V - 0.4 10.0 nA
Capacitance C VR = 38V, f=1MHz - 8 - pF*
Bandwith Bw* - - 2.0 - GHz

7. Dimension parameter of 50um InGaAs NIVIS Photodiode Chip

Parameter Symbolum Precium Unitas
Active area diametri D 53 um
Codex diametri vinculi - 65 um
Die magnitudine - 250x250 um
Mori crassitudine t 150±20 um

8 libera, Shipping et serviens 50um IngaAs NIVIS Photodiode Chip

Omnia producta ante naviculas e probata sunt;

Omnes fructus 1-3 annos habent warantum.

Negotium tuum laudamus et consilium instanti offerimus 7 dierum. (7 dies post susceptionem omissa);

Si vasa quae ex copia nostra emo non sunt perfectae qualitatis, id est electronice operantur ad fabricas specificationes, simpliciter ea nobis redde ad substituendum vel refugium;

Si omissa sunt, quaeso certiorem nos intra III dies traditionis;

Quaelibet res in pristinum statum restitui debet ad vocandum refugium vel subministrationem;

Emptor reus est omnium navium emptarum.

8. FAQ

Q: Quid est activum area vis?

A: 50um 200um 500um aream activam habemus InGaAs Avalanche Photodiode Chip.

Q: Quid postulatur iungo?

A: Box Optronics customize can according to your requirements.

Hot Tags: 300um InGaas Photodiode Chip, Manufacturers, Suppliers, Lupum, Factory, Lorem, Mole, Sinis, Facta in Sinis, Cheap, Minimum Price, Quality

Related Categoria

Mitte Inquisitionem

Libenter placet, ut inquisitionem tuam in forma infra exhibeas. Respondebimus tibi in 24 horis.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept