Definitio: A fabrica semiconductoris quae lumen detegit cum p-n vel p-i-n structura. Photodiodes saepe sicut photodetectors usi sunt. Tales cogitationes p-n coniunctas continent et plerumque stratum intrinsecum inter n et p stratis habent. Cogitationes cum laminis intrinsecis dicunturACUS genus photodiodes. Deperditio vel stratum intrinsecum lumen haurit et paria electronico-foraminis gignit, quae ad photocurrentem conferunt. Plus amplis viribus, photocurrentis stricte proportionalis est vehementiae lucis absorptae. Modus operating Photodiodes duobus diversis modis operari possunt: Modus photovoltaicus: Cella solari similis, voltatio ab a . productaphotodiodeirradiata lumine mensurari potest. Relationes autem inter voltage et potentiam opticam nonlinearibus est, et ambitus dynamicus est relative parva. Et celeritates vel apicem attingere non potest. Modus photoconductivus: Hic versa intentione applicatur diode (id est, diode in hac intentione sine lumine incidenti non agit) et inde photocurrente metitur. (Satis est ad intentionem prope 0. conservandam.) Dependentia photocurrentis in potentia optica valde lineari est, cuius magnitudo sex ordines magnitudinis aut plures quam potentia optica, exempli causa pii p-i-n cum an. area activa plurium mm2 Ad photodiodes, haec a paucis nanowatts ad decem milliwatts vagatur. Magnitudo intentionis eversae paene nullum effectum in photocurrente habet et effectum debilem in obscuro currente (in absentia lucis), sed quo altior intentione, eo citius responsio et fabrica citius calefacit. Communia amplificatoria (etiam amplificatoriae transimpedantiae dictae) saepe ad amplificationem photodiodarum adhibitae sunt. Haec amplificator intentionem constantem servat (exempli gratia prope 0, vel numerum negativum adaptabile) ita ut photodiodus in modo photoconductivo operetur. Vena amplificatoria plerumque bene sonum proprietatum habent, et sensibilitas et latitudo amplificantis melius aequari possunt quam simplex ansa resistentis et intentione amplificantis consistens. Nonnullae commerciales amplificatores setups multis variisque uncinis sensibilitatis utuntur ad potestatem mensurae flexibilem in laboratorio, unde magnam dynamicam range, submissam sonitum acquirere potes, quidam aedificaverunt in ostensionibus, aptabilibus intentionibus et signo cinguli, plicari possunt filtra. , etc. Materia semiconductor: Typicae materiae photodiodae sunt: Silicon (Si): parvae currentis obscuritatis, celeritatis celeritatis, summae sensibilitatis in 400-1000nm ambitus (summa in 800-900nm iugi). Germanium (Ge): altum obscurum currentem, tardam celeritatem propter magnam capacitatem parasiticam, summa sensibilitatem in amplitudine 900-1600nm (summa in visibilibus 1400-1500nm). Indium Gallium Arsenide Phosphorus (InGaAsP): Pretiosa, humilis obscurus, rapidus, summa sensibilitas in 1000-1350 iugi (altissima in 1100-1300nm extensionis). Indium Gallium Arsenide (InGaAs): Pretiosa, humilis obscurus vena, celeritas, summa sensibilitas in 900-1700nm range (summa in 1300-1600nm range) Necem eminus supra descriptus multum excedere potest si exemplar cum responsione ampliore spectris adhibeatur. proprietatibus clavis: Maxime proprietatibus of *photodiodessunt: Responsivitas, quae photocurrente ab optica potentia divisa est, ad quantum efficientiam refertur et ab necem dependet Activa regio, i.e., lux sensitiva. Maximum current licitum (plerumque per satietatem effectus finitur). Vena obscura (exsistit in modo photoconductivo, magni ponderis ad cognoscendas intensiones lucis valde humiles). Velocitas, seu longitudo, oriri et cadere temporibus comparatur et permittivity afficitur.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy
