+86-0755 21009302  
  ricky01@boxoptronics.com
Products
Home > Products > 1310nm/1550nm Necem Multiplexer

1310nm/1550nm Necem Multiplexer Manufacturers

Nostra officina fibra laserorum modulorum praebet, modulos laser ultrafast, altam vim diode lasers. Societas nostra technologiam instrumentorum externorum capit, productionem et experimentum instrumenti provexit, in involucro adinventionis, moduli consilium technologiam principalem habet et gratuita utilitas moderatur, sicut ratio certae qualitatis perfectae, praestare potest ut summus effectus in emptori praestare possit. , qualitas certa optoelectronic producta.

Related Products

Hot Products

  • Minimum Soni 1550nm Nanosecond Pulsus Fiber Laser Module DTS Sensor System

    Minimum Soni 1550nm Nanosecond Pulsus Fiber Laser Module DTS Sensor System

    Minimum Soni 1550nm Nanosecond Pulsus Fiber Laser Module DTS Ratio sensoris adhiberi potest in fibra laseris, systematis sensoris fibra et aliis applicationibus.
  • 1550nm 200mW CW DFB Fiber Laser moduli

    1550nm 200mW CW DFB Fiber Laser moduli

    Hic 1550nm 200mW CW DFB Fiber Laser modulus DFB chip laseris adoptat et summus potentiae moduli quaestum opticum iter efficiunt ut summus fibrillae virtutis outputa unius modi cognoscat. Laser pulsis et temperatus circa imperium professionalibus destinatis operationem laseris tutam ac stabilem efficit.
  • 1310nm Coaxial DFB Pigtail Laser Diode

    1310nm Coaxial DFB Pigtail Laser Diode

    1310nm Coaxial DFB Pigtail Laser Diode optimam simulationem observantiam habent ob usum chip DFB. Potestas output intra 1 ad 4 mw refrenatur secundum necessitates emptorum, quae hoc moduli laseris specimen facit ad usum in CATV, digital, et analogon transmissionum signum.
  • 1560nm PM Femtosecond Pulsus Fiber Laser Module

    1560nm PM Femtosecond Pulsus Fiber Laser Module

    1560nm PM Femtosecond Pulsus Fiber Laser Module in campis frequentiae cristae opticae, supercontinuum spectrum, terahertz THz et sic porro. Aliquam pulsuum latitudinem, potentiam, repetitionem frequentiae et parametris aliis accipere possumus.
  • 1270nm Ad 1610nm CWDM 20mW SM Or PM Fiber Coupled Laser

    1270nm Ad 1610nm CWDM 20mW SM Or PM Fiber Coupled Laser

    Ad 1270nm Ad 1610nm CWDM 20mW SM Or PM Fibra Copulata Laser operculum delectu emptorum magnarum aequalitatum ab 1260 ad 1650nm, quae in papilio 14-pinnario hermetically signatae sarcinae fabricatae sunt. Nos quoque plenam emptoris electionem de potentiis outputis, involucris generibus et fibris outputis habemus. de SM fibris, PM fibris et aliis fibris specialibus.
  • 650nm 785nm 850nm 10mW FP fons lucis laser

    650nm 785nm 850nm 10mW FP fons lucis laser

    650nm 785nm 850nm 10mW FP fons luminis laser, unus modus fibrarum output, potentia aptabilis, professionalis designatio summus praecisio, summus stabilitas current coegi imperium tabulam curare laser salus et stabilitas, humilis sonitus operatio, humilis sumptus, summus sumptus effectus; parvitas Foedus et facilis ad integrandum, late in investigationibus scientificis, communicatione, curatione medica, analysi spectrali, bioengineering et aliis agris.
  • Related Blog
  • Recognitiones

  • Quattuor key provocat ad sensorem Engineers

  • Magister Oscillator Power Amplifier

    Magister Oscillator Power-Amplifier. Cum traditionalis solidis et lasers gasi comparatis, fibra lasers sequentia habent commoda: alta conversio efficientia (lucis ad lucem conversio, efficientia super 60%), humilis limen laser; simplex structura, materia flexibilis, facilis ad usum; trabem altam qualitatis (facilis est ad modum diffractionis accedere); laser output multas lineas spectralis et ambitus latos habet (455~3500nm); parvitas, leve pondus, bonum caloris luxuriae effectus et longi muneris vita.

  • Semiconductor laser packaging forma et packaging structuram

    A laser Diode chip est semiconductor-fundatur laser quod est a P-n structura et sit amet. Et laser diode sarcina est completum fabrica, quod est convenerunt et packaged simul in signato sarcina habitationi ad formare a semiconductor laser chip, quod emat cohaeret in temperatus photodired chip ad feedback ad temperatus photodired chip ad photitoring, aut ad temperatus, aut in Lens in laser, aut optical lens laser collimationem.

  • Differentia inter FP laser et DFB laser

    Articulus hic maxime describit notiones et notiones FP lasers et DFB lasers

  • Semiconductor laser applicationis diode

    Cum evolutione technologiae et processus, laser diodes semiconductor nunc in usu practico multiplex structurae multiloquae habet.

  • Vertical cavitatis superficies emittens laser

    Superficies cavitatis verticalis laser emittens est nova generatio laseris semiconductoris quae his annis celeriter elaborata est. Sic dicta "cavitatis emissio superficiei verticalis" significat directionem emissionem laser esse perpendicularem in plano vel superficiei subiectae fissuram. Alius modus emissionis respondentis appellatur "ore emissio". Traditional semiconductor laserorum modum ore emittens, hoc est directio laser emissio parallela superficiei subiectae. Hoc genus laseris appellatur ora emittens laser (EEL). Comparatus cum EEL, VCSEL bonae trabes qualitates, modi outputa, modulatio alta, longaevus, integratio facilis et probatio, etc., sic late in communicationibus opticis, ostentatione optica, sentiendi aliisve opticis adhibita est. campis.

Mitte Inquisitionem

Copyright @ MMXXX Shenzhen Box Optonics Technology Co., Ltd. - Sinis Fibra Optic modules, fibra copulata Lasers Manufacturers, Laser Components All rights reserved.